GaN更大(dà)的(de)優勢是，具有能耐受極高(gāo)溫度的(de)極其堅固的(de)結構。恩智浦的(de)GaN晶體管可(kě)指 定250 °C的(de)最高(gāo)溫度，相比之下(xià)，Si LDMOS爲225 °C。在如此高(gāo)溫環境下(xià)，更需要能夠充分(fēn)利用(yòng)此特性的(de)封裝技術。因此，客戶将是恩智浦在RF功率産品領域30年經驗的(de)受益者，我們的(de)工業基地能爲客戶帶來(lái) 極佳的(de)産品可(kě)靠性、成本和(hé)高(gāo)度自信的(de)供應鏈，能做(zuò)到這(zhè)些的(de)GaN供應商僅此一家。正如我們所說，GaN因此而成爲主流。
第一代恩智浦GaN産品