第 一代恩智浦GaN産品将是獨一無二的(de)寬帶放大(dà)器，适用(yòng)于要求在最高(gāo)爲3.5 GHz的(de)各種頻(pín)率下(xià)具有高(gāo)RF性能的(de)應用(yòng)。恩智浦的(de)第一代GaN工藝專爲在50V供電電壓下(xià)工作的(de)産品而設計，可(kě)實現一流的(de)效率和(hé)線性度。這(zhè)類産品将使用(yòng) 行業标準的(de)封裝大(dà)小，使客戶能在現有設計中采用(yòng)恩智浦的(de)産品而無需更改機械設計。恩智浦的(de)新一代GaN器件将會超級高(gāo)效，爲最大(dà)的(de)RF功率器件細分(fēn)市場(chǎng) ——蜂窩基站——帶來(lái)性能上的(de)突破。反過來(lái)，此技術會憑借開關模式功率放大(dà)器(SMPA)概念打破線性放大(dà)器拓撲結構。恩智浦緻力于在整個(gè)産品範圍中充分(fēn) 利用(yòng)技術，這(zhè)也(yě)将使産品适用(yòng)于最高(gāo)爲10 GHz的(de)更高(gāo)頻(pín)率應用(yòng)。