GaN：一項突破性技術

如果獨立市場(chǎng)研究結果應驗，則GaN産品的(de)銷售額将會在2014年超過3億美(měi)元。隻有通(tōng)過主流半導體公司（恩智浦是領頭羊）生産GaN，才可(kě)能實現這(zhè)一預測。那麽，GaN和(hé)RF功率應用(yòng)到底是什(shén)麽？簡而言之，在大(dà)多(duō)數應用(yòng)中，GaN相比Si LDMOS進一步提升效率和(hé)功率密度性能。這(zhè)可(kě)在Johnson的(de)優值(FoM)中得(de)到量化(huà)——将以Si等于1爲基線的(de)顯著RF性能變量結合起來(lái)，導緻GaN的(de)FoM爲324。通(tōng)俗而言，另一種常用(yòng)的(de)RF複合材料GaA具有1.44的(de)FoM。一言以蔽之，GaN真正代表了(le)一項突破性技術。
偏置

GaN産品被稱爲高(gāo)電子遷移率晶體管(HEMT)，這(zhè)一名稱抓住了(le)GaN的(de)一個(gè)本質優點：高(gāo)電子漂移速度。這(zhè)些晶體管爲消耗模式器件，此類器件爲常開，無需施加栅偏壓。需要負栅偏壓以關閉晶體管。此偏置不是直接提供的(de)，但在恩智浦，我們提供解決方案而非僅僅是組件，因爲已有久經考驗的(de)偏置電路可(kě)供使用(yòng)，并在整個(gè)産品使用(yòng)壽命期間提供持續的(de)應用(yòng)支持。
高(gāo)溫

GaN更大(dà)的(de)優勢是，具有能耐受極高(gāo)溫度的(de)極其堅固的(de)結構。恩智浦的(de)GaN晶體管可(kě)指定250 °C的(de)最高(gāo)溫度，相比之下(xià)，Si LDMOS爲225 °C。在如此高(gāo)溫環境下(xià)，更需要能夠充分(fēn)利用(yòng)此特性的(de)封裝技術。因此，客戶将是恩智浦在RF功率産品領域30年經驗的(de)受益者，我們的(de)工業基地能爲客戶帶來(lái)極佳的(de)産品可(kě)靠性、成本和(hé)高(gāo)度自信的(de)供應鏈，能做(zuò)到這(zhè)些的(de)GaN供應商僅此一家。正如我們所說，GaN因此而成爲主流。
第一代恩智浦GaN産品

第一代恩智浦GaN産品将是獨一無二的(de)寬帶放大(dà)器，适用(yòng)于要求在最高(gāo)爲3.5 GHz的(de)各種頻(pín)率下(xià)具有高(gāo)RF性能的(de)應用(yòng)。恩智浦的(de)第一代GaN工藝專爲在50V供電電壓下(xià)工作的(de)産品而設計，可(kě)實現一流的(de)效率和(hé)線性度。這(zhè)類産品将使用(yòng)行業标準的(de)封裝大(dà)小，使客戶能在現有設計中采用(yòng)恩智浦的(de)産品而無需更改機械設計。恩智浦的(de)新一代GaN器件将會超級高(gāo)效，爲最大(dà)的(de)RF功率器件細分(fēn)市場(chǎng)——蜂窩基站——帶來(lái)性能上的(de)突破。反過來(lái)，此技術會憑借開關模式功率放大(dà)器(SMPA)概念打破線性放大(dà)器拓撲結構。恩智浦緻力于在整個(gè)産品範圍中充分(fēn)利用(yòng)技術，這(zhè)也(yě)将使産品适用(yòng)于最高(gāo)爲10 GHz的(de)更高(gāo)頻(pín)率應用(yòng)。